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中投顧問

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2022-2026年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告(上下卷)

首次出版:2019年12月最新修訂:2022年6月交付方式:特快專遞(2-3天送達)

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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 第三代半導體相關概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產業發展意義
1.2 第三代半導體產業發展歷程分析
1.2.1 材料發展歷程
1.2.2 產業演進全景
1.2.3 產業轉移路徑
1.3 第三代半導體產業鏈構成及特點
1.3.1 產業鏈結構簡介
1.3.2 產業鏈圖譜分析
1.3.3 產業鏈生態體系
1.3.4 產業鏈體系分工
第二章 2020-2022年全球第三代半導體產業發展分析
2.1 2020-2022年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1 標準制定情況
2.1.2 國際產業格局
2.1.3 市場發展規模
2.1.4 SiC創新進展
2.1.5 GaN創新進展
2.1.6 企業競爭格局
2.1.7 企業發展布局
2.1.8 企業合作動態
2.2 美國
2.2.1 經費投入規模
2.2.2 產業技術優勢
2.2.3 技術創新中心
2.2.4 項目研發情況
2.2.5 戰略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產業發展計劃
2.3.2 封裝技術聯盟
2.3.3 技術領先狀況
2.3.4 產業戰略部署
2.3.5 國際合作動態
2.4 歐盟
2.4.1 項目研發情況
2.4.2 產業發展基礎
2.4.3 前沿企業格局
2.4.4 未來發展熱點
第三章 2020-2022年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析
3.1 政策環境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 行業標準現行情況
3.1.4 中美貿易摩擦影響
3.2 經濟環境(Economic)
3.2.1 宏觀經濟概況
3.2.2 工業運行情況
3.2.3 投資結構優化
3.2.4 未來經濟展望
3.3 社會環境(Social)
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發經費投入
3.3.4 技術人才儲備
3.4 技術環境(Technological)
3.4.1 專利申請狀況
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 制造技術成熟
3.4.4 產業技術聯盟
第四章 2020-2022年中國第三代半導體產業發展分析
4.1 中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1 數字基建打開成長空間
4.1.2 背光市場空間逐步擴大
4.1.3 襯底和外延是關鍵環節
4.1.4 各國政府高度重視發展
4.1.5 產業鏈向國內轉移明顯
4.2 2020-2022年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1 產業發展現狀
4.2.2 產線產能規模
4.2.3 產業標準規范
4.2.4 國產替代狀況
4.2.5 行業發展空間
4.3 2020-2022年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1 市場發展規模
4.3.2 細分市場規模
4.3.3 市場應用分布
4.3.4 區域競爭格局
4.3.5 企業競爭格局
4.3.6 產品發展動力
4.4 2020-2022年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1 上游金屬硅產能釋放
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現狀
4.4.4 上游材料產業鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1 產業發展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術發展挑戰
4.5.4 材料發展挑戰
4.6 中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1 產業發展建議
4.6.2 建設發展聯盟
4.6.3 加強企業培育
4.6.4 集聚產業人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發展思路
第五章 2020-2022年第三代半導體氮化鎵(GAN)材料及器件發展分析
5.1 GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1 GaN產業鏈
5.1.2 GaN結構性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術專利情況
5.1.6 技術發展趨勢
5.2 GaN材料市場發展概況分析
5.2.1 市場供給情況
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 材料技術水平
5.2.4 應用市場結構
5.2.5 應用市場預測
5.2.6 市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產品研發情況
5.3.1 器件產品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產品
5.3.4 電力電子器件
5.3.5 光電子器件
5.4 GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 應用實現條件與對策
5.5 GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1 器件技術難題
5.5.2 電源技術瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2020-2022年第三代半導體碳化硅(SIC)材料及器件發展分析
6.1 SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產品類型
6.1.4 單晶技術專利
6.1.5 技術發展路線
6.2 SiC材料市場發展概況分析
6.2.1 產業鏈分析
6.2.2 材料價格走勢
6.2.3 材料市場規模
6.2.4 材料技術水平
6.2.5 市場應用情況
6.2.6 企業競爭態勢
6.3 SiC器件及產品研發情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產品
6.3.3 器件產品研發
6.3.4 產品發展趨勢
6.4 SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1 應用整體技術路線
6.4.2 電網應用技術路線
6.4.3 電力牽引應用技術路線
6.4.4 電動汽車應用技術路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2020-2022年第三代半導體其他材料發展狀況分析
7.1、笞宓锇雽w材料發展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結構性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產品
7.1.5 應用發展狀況
7.1.6 發展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結構性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵(Ga2O3)半導體材料發展分析
7.3.1 材料結構性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術發展
7.3.4 器件應用發展
7.3.5 未來發展趨勢
7.4 金剛石半導體材料發展分析
7.4.1 材料結構性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產品
7.4.4 應用發展狀況
7.4.5 器件研發進展
7.4.6 未來發展前景
第八章 2020-2022年第三代半導體下游應用領域發展分析
8.1 第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1 下游應用產業分布
8.1.2 下游產業優勢特點
8.1.3 下游產業需求旺盛
8.2 2020-2022年電子電力領域發展狀況
8.2.1 全球市場發展規模
8.2.2 國內市場發展規模
8.2.3 國內器件應用分布
8.2.4 國內應用市場規模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產品價格走勢
8.3 2020-2022年微波射頻領域發展狀況
8.3.1 射頻器件市場規模
8.3.2 射頻器件市場結構
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 國防基站應用規模
8.3.5 射頻器件發展趨勢
8.4 2020-2022年半導體照明領域發展狀況
8.4.1 發展政策支持
8.4.2 行業發展規模
8.4.3 產業鏈分析
8.4.4 應用市場分布
8.4.5 照明技術突破
8.4.6 技術發展方向
8.4.7 行業發展展望
8.5 2020-2022年半導體激光器發展狀況
8.5.1 市場規,F狀
8.5.2 企業發展格局
8.5.3 應用研發現狀
8.5.4 主要技術分析
8.5.5 未來發展趨勢
8.6 2020-2022年5G新基建領域發展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規模
8.6.3 賦能射頻產業
8.6.4 應用發展方向
8.6.5 產業發展展望
8.7 2020-2022年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1 行業市場規模
8.7.2 主要應用場景
8.7.3 企業布局情況
8.7.4 市場應用空間
8.7.5 市場需求預測
第九章 2020-2022年第三代半導體材料產業區域發展分析
9.1 2020-2022年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1 產業區域分布
9.1.2 區域建設回顧
9.2 京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1 北京產業發展狀況
9.2.2 順義產業扶持政策
9.2.3 保定產業發展情況
9.2.4 應用聯合創新基地
9.2.5 區域未來發展趨勢
9.3 中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1 四川產業發展狀況
9.3.2 重慶產業發展狀況
9.3.3 西安產業發展狀況
9.4 珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1 廣東產業發展政策
9.4.2 廣州市產業支持
9.4.3 深圳產業發展狀況
9.4.4 東莞產業發展狀況
9.4.5 區域未來發展趨勢
9.5 華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1 江蘇產業發展概況
9.5.2 蘇州產業發展狀況
9.5.3 山東產業發展規劃
9.5.4 福建產業發展狀況
9.5.5 區域未來發展趨勢
9.6 第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領域短板
9.6.3 開展關鍵技術研發
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2019-2022年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業發展概況
10.1.2 業務布局動態
10.1.3 經營效益分析
10.1.4 業務經營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發展戰略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業發展概況
10.2.2 相關業務布局
10.2.3 經營效益分析
10.2.4 業務經營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發展戰略
10.2.8 未來前景展望
10.3 廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1 企業發展概況
10.3.2 經營效益分析
10.3.3 業務經營分析
10.3.4 財務狀況分析
10.3.5 核心競爭力分析
10.3.6 公司發展戰略
10.3.7 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業發展概況
10.4.2 經營效益分析
10.4.3 業務經營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發展戰略
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業發展概況
10.5.2 經營效益分析
10.5.3 業務經營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發展戰略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業發展概況
10.6.2 經營效益分析
10.6.3 業務經營分析
10.6.4 財務狀況分析
10.6.5 核心競爭力分析
10.6.6 公司發展戰略
10.6.7 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業發展概況
10.7.2 經營效益分析
10.7.3 業務經營分析
10.7.4 財務狀況分析
10.7.5 核心競爭力分析
10.7.6 公司發展戰略
第十一章 中投顧問對第三代半導體產業投資價值綜合評估
11.1 行業投資背景
11.1.1 行業投資規模
11.1.2 投資市場周期
11.1.3 行業投資動態
11.1.4 行業投資前景
11.2 行業投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內投資案例
11.2.3 國際企業并購
11.2.4 國內企業并購
11.2.5 企業融資動態
11.3 行業投資壁壘
11.3.1 技術壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿易壁壘
11.4 行業投資風險
11.4.1 企業經營風險
11.4.2 技術迭代風險
11.4.3 行業競爭風險
11.4.4 產業政策變化風險
11.5 行業投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3 關注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內企業向IDM模式轉型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 資金需求測算
11.6.3 經濟效益分析
11.6.4 項目投資必要性
11.6.5 項目投資可行性
第十二章 2022-2026年中投顧問對第三代半導體產業前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1 產業成本趨勢
12.1.2 未來發展趨勢
12.1.3 應用領域趨勢
12.2 第三代半導體未來發展前景
12.2.1 重要發展窗口期
12.2.2 產業應用前景
12.2.3 產業發展機遇
12.2.4 產業市場機遇
12.2.5 產業發展展望
12.3 中投顧問對2022-2026年中國第三代半導體行業預測分析
12.3.1 2022-2026年中國第三代半導體行業影響因素分析
12.3.2 2022-2026年中國第三代半導體產業電子電力和射頻電子總產值預測
附錄
附錄一:新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策
附錄二:關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施

圖表目錄

圖表1 第三代半導體特點
圖表2 第三代半導體主要材料
圖表3 不同半導體材料性能比較(一)
圖表4 不同半導體材料性能比較(二)
圖表5 碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表6 半導體材料發展歷程及現狀
圖表7 半導體材料頻率和功率特性對比
圖表8 第三代半導體產業演進示意圖
圖表9 第三代半導體產業鏈
圖表10 第三代半導體產業鏈
圖表11 第三代半導體襯底制備流程
圖表12 第三代半導體產業鏈全景圖譜
圖表13 第三代半導體健康的產業生態體系
圖表14 國際電工委員會(IEC)第三代半導體標準
圖表15 固態技術標準協會(JEDEC)第三代半導體標準
圖表16 國際部分汽車電子標準
圖表17 2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
圖表18 1990-2020年國外SiC技術進展
圖表19 國際上已經商業化的SiC SBD的器件性能
圖表20 2020年國際企業新推出的SiC MOSFET產品
圖表21 國際已經商業化的SiC晶體管器件性能
圖表22 2020年國際企業新推出的SiC功率模塊產品
圖表23 國際上已經商業化的GaN電力電子器件性能
圖表24 國際上商業化的GaN射頻產品性能
圖表25 2020年國際企業推出的GaN射頻產品
圖表26 2020年國際主要第三代半導體企業布局情況(一)
圖表27 2020年國際主要第三代半導體企業布局情況(二)
圖表28 2020年主要第三代半導體企業合作動態
圖表29 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(一)
圖表30 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(二)
圖表31 2020年美國設立的部分第三代半導體相關研發項目
圖表32 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(一)
圖表33 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(二)
圖表34 2020年歐盟和英國設立的部分第三代半導體相關研發項目
圖表35 歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表36 《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》中第三代半導體相關內容
圖表37 2019-2021年國家層面第三代半導體支持政策匯總
圖表38 截至2021年地方層面第三代半導體行業相關政策匯總(一)
圖表39 截至2021年地方層面第三代半導體行業相關政策匯總(二)
圖表40 中國第三代半導體現行國家標準和行業標準
圖表41 CASA聯盟第三代半導體團體標準
圖表42 2020年GDP最終核實數與初步核算數對比
圖表43 2021年GDP初步核算數據
圖表44 2016-2020年全部工業增加值及其增長速度
圖表45 2020年主要工業產品產量及其增長速度
圖表46 2020-2021年規模以上工業增加值同比增長速度
圖表47 2016-2020年普通本?、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表48 2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表49 2016-2020年研究與試驗發展(R&D)經費支出及其增長速度
圖表50 2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表51 2016-2021年全國R&D經費及投入強度情況
圖表52 2016-2021年全國基礎研究經費及占R&D經費比重情況
圖表53 國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表54 截至2021年底中國第三代半導體領域專利申請TOP10
圖表55 2002-2021年中國第三代半導體領域地區專利申請趨勢
圖表56 國家重點研發計劃2021年度第三代半導體項目申報情況(一)
圖表57 國家重點研發計劃2021年度第三代半導體項目申報情況(二)
圖表58 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發起單位
圖表59 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
圖表60 全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表61 《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表62 2019年中國主要企業SiC、GaN產能
圖表63 2019-2020年中國第三代半導體產能統計
圖表64 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準列表
圖表65 2016-2020年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻總產值
圖表66 2016-2020年中國第三代半導體細分市場規模變動情況
圖表67 2020年SiC、GaN電力電子器件下游應用分布
圖表68 2020年GaN射頻器件下游應用分布情況
圖表69 中國主流企業第三代半導體布局情況
圖表70 2019-2020年中國金屬硅產量統計
圖表71 2021年中國金屬硅市場價格走勢
圖表72 2019-2020年中國氧化鋅進口數量及增強情況
圖表73 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(一)
圖表74 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(二)
圖表75 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(三)
圖表76 氮化鎵產業鏈國內主要企業
圖表77 國內碳化硅單晶知名企業
圖表78 GaN產業鏈
圖表79 GaN原子結構
圖表80 典型GaN HEMT結構
圖表81 GaN制備流程
圖表82 HVPE系統示意圖
圖表83 GaN外延生長常用方法示意圖
圖表84 2018-2021年氮化鎵技術領域專利申請量申請/授權數量及占比情況
圖表85 截至2021年底氮化鎵技術領域專利類型分布情況
圖表86 截至2021年底中國氮化鎵技術的專利地域分布情況
圖表87 2019-2030年中國第三代半導體GaN材料關鍵技術發展路線表
圖表88 截至2020年底中國GaN制造產線情況
圖表89 中國GaN材料下游應用市場結構
圖表90 GaN功率器件應用領域與市場份額
圖表91 氮化鎵產業國內外主要廠商布局
圖表92 GaN半導體器件類別及應用
圖表93 GaN器件主要產品
圖表94 Cascode GaN晶體管
圖表95 EPC的電氣參數
圖表96 LGA封裝示意圖
圖表97 2019年國際商業化的GaN RF HEMT器件性能
圖表98 2019年國際企業推出的GaN射頻產品
圖表99 2019年國際上已經商業化的GaN HEMT電力電子器件性能
圖表100 2019年部分主流GaN HEMT產品的導通電阻情況
圖表101 2019年國際企業推出的部分GaN HEMT電力電子產品
圖表102 激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表103 Si和GaN器件驅動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表104 恒定電壓供電方式的典型波形
圖表105 包絡線跟隨供電方式的典型波形
圖表106 ET技術的原理框圖
圖表107 DBC方式的硅基器件的熱阻發展趨勢
圖表108 2020年GaN器件產品電壓范圍占比預測
圖表109 SiC生長爐爐體示意圖
圖表110 液相生長法熔具結構圖
圖表111 2018-2021年碳化硅單晶技術領域專利申請/授權數量及占比情況
圖表112 截至2021年底中國氮化硅單晶技術領域專利類型分布
圖表113 截至2021年底碳化硅單晶技術領域專利區域分布情況
圖表114 2019-2030年中國第三代半導體SiC材料關鍵技術發展路線表
圖表115 SiC襯底產業鏈情況
圖表116 2016-2019年中國SiC襯底市場規模與增長
圖表117 1990-2030年國內SiC襯底技術指標進展
圖表118 2020-2021年國內SiC材料項目簽約布局情況
圖表119 國內廠商碳化硅投資情況
圖表120 4英寸半絕緣型碳化硅晶片
圖表121 6英寸半絕緣型碳化硅晶片
圖表122 6英寸導電型碳化硅晶片
圖表123 碳化硅電力電子器件分類
圖表124 2020年國內企業推出的SiC器件
圖表125 2019年國際企業推出的部分SiC模塊產品
圖表126 2020年國內企業推出的SiC器件
圖表127 2020-2048年SiC器件在電網應用的技術路線
圖表128 2020-2048年電力電子變壓器(PET)發展預測
圖表129 2020-2048年靈活交流輸電裝置(FACTS)發展預測
圖表130 2020-2048年光伏逆變器發展預測
圖表131 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場占比預測
圖表132 2020-2048年固態開關發展預測
圖表133 2018-2050年各類別車輛規模的預測
圖表134 2018-2050年各類別應用裝置規模的預測
圖表135 2018-2050年應用裝置的功率密度預測
圖表136 2018-2050年應用裝置的工作效率預測
圖表137 2018-2050年各種電力電子器件的預測
圖表138 2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預測
圖表139 三電平拓撲
圖表140 2018-2048年車載和非車載的換流器開關頻率提升預測
圖表141 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對比
圖表142 對車載和非車載的器件要求
圖表143 2018-2025年SiC器件的封裝預測
圖表144 2020-2048年電動汽車電機驅動采用SiC器件發展預測
圖表145 2020-2048年電動汽車無線充電設施采用SiC器件發展預測
圖表146 家用消費類電子產品的分類
圖表147 適配器電源產品的能效等級要求
圖表148 歐美主要國家強制實施的能效等級要求
圖表149 不同家用電子產品耗電量分布圖
圖表150 空調電氣控制系統應用框圖
圖表151 開通電壓/電流波形對比
圖表152 SiC混合功率模塊開關損耗對比
圖表153 2000-2030年功率模塊未來發展趨勢
圖表154 2020-2048年家用電器和消費類電子采用SiC功率模塊發展預測
圖表155 氮化鋁晶體結構及晶須
圖表156 氮化鋁陶瓷基板的性能優勢
圖表157 InGaZnO4晶體結構
圖表158 β-Ga2O3功率器件與其他主要半導體功率器件的理論性能極限
圖表159 金剛石結構
圖表160 金剛石與其他半導體材料特性對比
圖表161 2025第三代半導體材料發展目標
圖表162 2018-2020年全球SiC、GaN在電力電子器件的應用規模
圖表163 2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領域滲透率情況
圖表164 2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產值規模變化情況
圖表165 2020年中國SiC、GaN電力電子器件應用市場結構
圖表166 2019-2025年新能源汽車市場SiC、GaN功率市場規模
圖表167 2019-2025年PD快充GaN電力電子器件市場規模及預測
圖表168 應用于新能源汽車的GaN芯片
圖表169 2017-2020年650V SiC SBD價格變化情況
圖表170 2017-2020年1200V SiC SBD價格變化情況
圖表171 2019-2020年SiC MOSFET平均價格
圖表172 2018-2020年650V SiC MOSFET和Si IGBT價格比較
圖表173 2016-2020年中國微波射頻行業產值規模變化情況
圖表174 2020年中國GaN射頻器件各細分市場規模占比
圖表175 2011-2020年中國LED半導體照明產業產值
圖表176 LED半導體照明產業鏈結構
圖表177 2020年中國半導體照明應用領域分布
圖表178 2017-2020年中國激光器市場規模情況
圖表179 國內主要半導體激光器企業情況
圖表180 半導體激光器細分應用領域
圖表181 中國5G縣域覆蓋情況
圖表182 中國5G宏基站4英寸GaN晶圓需求量
圖表183 5G主要技術對半導體材料的需求
圖表184 2021年中國新能源汽車生產情況
圖表185 2021年中國新能源汽車銷售情況
圖表186 2019-2021年中國新能源汽車月度銷量
圖表187 SiC在電動汽車中的應用
圖表188 搭載SiC功率模塊的全新豐田MIRAI與原MIRAI性能對比
圖表189 L1-L5各級別自動駕駛所需各類傳感器的數量
圖表190 L3不同級別自動駕駛汽車的半導體增量成本構成
圖表191 2015-2040年中國智能駕駛汽車滲透率
圖表192 2021-2025年中國汽車半導體市場規模預測
圖表193 第三代半導體材料企業區域分布
圖表194 2019年國內第三代半導體集聚區建設回顧
圖表195 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表196 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(三)
圖表197 2014-2019年重慶第三代半導體相關政策
圖表198 2018-2021年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表199 2018-2021年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表200 2018-2021年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表201 2020年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表202 2020-2021年三安光電股份有限公司營業收入情況
圖表203 2018-2021年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表204 2018-2021年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表205 2018-2021年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表206 2018-2021年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表207 2018-2021年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表208 北京賽微電子股份有限公司發展戰略
圖表209 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表210 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表211 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表212 2019-2020年北京賽微電子股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表213 2021年北京賽微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表214 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表215 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表216 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表217 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表218 2018-2021年北京賽微電子股份有限公司運營能力指標
圖表219 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表220 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司營業收入及增速
圖表221 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表222 2019-2020年廈門乾照光電股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表223 2021年廈門乾照光電股份有限公司主營業務分產品或服務
圖表224 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表225 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司凈資產收益率
圖表226 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表227 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司資產負債率水平
圖表228 2018-2021年廈門乾照光電股份有限公司運營能力指標
圖表229 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表230 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入及增速
圖表231 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司凈利潤及增速
圖表232 2019-2020年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表233 2021年湖北臺基半導體股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表234 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表235 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司凈資產收益率
圖表236 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司短期償債能力指標
圖表237 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司資產負債率水平
圖表238 2018-2021年湖北臺基半導體股份有限公司運營能力指標
圖表239 2018-2021年華燦光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表240 2018-2021年華燦光電股份有限公司營業收入及增速
圖表241 2018-2021年華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表242 2019-2020年華燦光電股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表243 2021年華燦光電股份有限公司主營業務分產品或服務
圖表244 2018-2021年華燦光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表245 2018-2021年華燦光電股份有限公司凈資產收益率
圖表246 2018-2021年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表247 2018-2021年華燦光電股份有限公司資產負債率水平
圖表248 2018-2021年華燦光電股份有限公司運營能力指標
圖表249 2018-2021年聞泰科技股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表250 2018-2021年聞泰科技股份有限公司營業收入及增速
圖表251 2018-2021年聞泰科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表252 2020年聞泰科技股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表253 2020-2021年聞泰科技股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表254 2018-2021年聞泰科技股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表255 2018-2021年聞泰科技股份有限公司凈資產收益率
圖表256 2018-2021年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標
圖表257 2018-2021年聞泰科技股份有限公司資產負債率水平
圖表258 2018-2021年聞泰科技股份有限公司運營能力指標
圖表259 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表260 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司營業收入及增速
圖表261 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司凈利潤及增速
圖表262 2019-2020年株洲中車時代電氣股份有限公司營業收入分產品
圖表263 2020-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司主要財務數據
圖表264 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表265 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司凈資產收益率
圖表266 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司短期償債能力指標
圖表267 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司資產負債率水平
圖表268 2018-2021年株洲中車時代電氣股份有限公司運營能力指標
圖表269 2017-2020年第三代半導體投資擴產情況
圖表270 2020年國內主要第三代半導體投資擴產情況
圖表271 《國民經濟和社會發展“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中集成電路發展內容
圖表272 2020年國內部分重點第三代半導體投資項目
圖表273 2019年國際半導體企業并購情況
圖表274 2019年國內部分重點第三代半導體領域并購項目
圖表275 2020年重點企業融資情況
圖表276 項目投資概算
圖表277 2016-2030年中國第三代半導體產業發展預測
圖表278 第三代半導體產業處于最佳窗口期
圖表279 國內產業合作情況
圖表280 中投顧問對2022-2026年中國第三代半導體產業電子電力和射頻電子總產值預測

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。

隨著5G、新能源汽車等市場發展,第三代半導體的需求規模保持高速增長。同時,中美貿易戰的影響給國產第三代半導體材料帶來了發展良機。2020年在國內大半導體產業增長乏力的大背景下,我國第三代半導體產業實現逆勢增長。2020年,SiC、GaN電子電力產值規模達44.7億元,同比增長54%;GaN微波射頻產值達到60.8億元,同比增長80.3%。2010-2021年,中國第三代半導體專利申請數量處于領先地位;截至2021年12月16日,我國第三代半導體專利申請數量為1582件。

區域方面,我國第三代半導體初步形成了京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點發展區域。從代表性企業分布情況來看,江蘇省第三代半導體代表性企業分布最多,如蘇州納維、晶湛半導體、英諾賽科等。同時廣東、山東代表性企業也有較多代表性企業分布。從專利數量看,截至2021年12月16日,江蘇省為中國當前申請第三代半導體專利數量最多的省份,累計當前第三代半導體專利申請數量高達2860項。北京、山東、廣東、陜西和浙江當前申請第三代半導體專利數量均超過1000項。中國當前申請省(市、自治區)第三代半導體專利數量排名前十的省份還有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

2021年3月12日,《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》全文正式發布。在事關國家安全和發展全局的基礎核心領域,《綱要》提到制定實施戰略性科學計劃和科學工程。其中,集成電路攻關方面,《綱要》重點強調推進集成電路設計工具、中電裝備和高純靶材等關鍵材料研發、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化鎵等礦禁帶半導體發展。2021年6月,《長三角G60科創走廊建設方案》提出在重點領域培育一批具有國際競爭力的龍頭企業,加快布局量子信息、類腦芯片、第三代半導體、基因編輯等一批未來企業。

我國第三代半導體技術和產業都取得較好進展,但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距,市場繼續被國際巨頭占據,國產化需求迫切。我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟,處于重要窗口期。

中投產業研究院發布的《2022-2026年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業的總體概況及全球行業發展形勢,接著分析了中國第三代半導體行業發展環境、市場總體發展狀況以及全國重要區域發展狀況。然后分別對第三代半導體產業的產業鏈相關行業、行業重點企業的經營狀況及行業項目案例投資進行了詳盡的透析。最后,報告對第三代半導體行業進行了投資分析并對行業未來發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、商務部、工信部、中國海關總署、半導體行業協會、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產業有個系統深入的了解、或者想投資第三代半導體產業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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